SIDR680DP-T1-GE3

છબી સંદર્ભ માટે છે, વાસ્તવિક ચિત્ર મેળવવા માટે કૃપા કરીને અમારો સંપર્ક કરો

ઉત્પાદક ભાગ	SIDR680DP-T1-GE3
ઉત્પાદક	Vishay / Siliconix
વર્ણન	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
શ્રેણી	અલગ સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો
કુટુંબ	ટ્રાન્ઝિસ્ટર - ફેટ્સ, મોસ્ફેટ્સ - સિંગલ
જીવન ચક્ર:	New from this manufacturer.
ડિલિવરી:	DHL FedEx Ups TNT EMS
ચુકવણી	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ડેટાશીટ	SIDR680DP-T1-GE3 PDF

ઉપલબ્ધતા

ઉપલબ્ધ છે	2,873
એકમ કિંમત	$ 3.02000

SIDR680DP-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIDR680DP-T1-GE3 વિશિષ્ટતાઓ

પ્રકાર	વર્ણન
શ્રેણી:	TrenchFET® Gen IV
પેકેજ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
ભાગ સ્થિતિ:	Active
fet પ્રકાર:	N-Channel
ટેકનોલોજી:	MOSFET (Metal Oxide)
સ્ત્રોત વોલ્ટેજ પર ડ્રેઇન કરો (vdss):	80 V
વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (id) @ 25°c:	32.8A (Ta), 100A (Tc)
ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મહત્તમ આરડીએસ ચાલુ, ન્યૂનતમ આરડીએસ ચાલુ):	7.5V, 10V
(મહત્તમ) @ id, vgs પર rds:	2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (મહત્તમ) @ id:	3.4V @ 250µA
ગેટ ચાર્જ (qg) (મહત્તમ) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (મહત્તમ):	±20V
ઇનપુટ કેપેસીટન્સ (ciss) (મહત્તમ) @ vds:	5150 pF @ 40 V
fet લક્ષણ:	-
પાવર ડિસીપેશન (મહત્તમ):	6.25W (Ta), 125W (Tc)
ઓપરેટિંગ તાપમાન:	-55°C ~ 150°C (TJ)
માઉન્ટિંગ પ્રકાર:	Surface Mount
સપ્લાયર ઉપકરણ પેકેજ:	PowerPAK® SO-8DC
પેકેજ / કેસ:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.