DF11MR12W1M1B11BOMA1

છબી સંદર્ભ માટે છે, વાસ્તવિક ચિત્ર મેળવવા માટે કૃપા કરીને અમારો સંપર્ક કરો

ઉત્પાદક ભાગ	DF11MR12W1M1B11BOMA1
ઉત્પાદક	Rochester Electronics
વર્ણન	IGBT MODULE
શ્રેણી	અલગ સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો
કુટુંબ	ટ્રાન્ઝિસ્ટર - fets, mosfets - એરે
જીવન ચક્ર:	New from this manufacturer.
ડિલિવરી:	DHL FedEx Ups TNT EMS
ચુકવણી	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ડેટાશીટ	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

ઉપલબ્ધતા

ઉપલબ્ધ છે	83
એકમ કિંમત	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

DF11MR12W1M1B11BOMA1 વિશિષ્ટતાઓ

પ્રકાર	વર્ણન
શ્રેણી:	*
પેકેજ:	Bulk
ભાગ સ્થિતિ:	Active
fet પ્રકાર:	2 N-Channel (Dual)
fet લક્ષણ:	Silicon Carbide (SiC)
સ્ત્રોત વોલ્ટેજ પર ડ્રેઇન કરો (vdss):	1200V (1.2kV)
વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (id) @ 25°c:	50A
(મહત્તમ) @ id, vgs પર rds:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (મહત્તમ) @ id:	5.5V @ 20mA
ગેટ ચાર્જ (qg) (મહત્તમ) @ vgs:	125nC @ 5V
ઇનપુટ કેપેસીટન્સ (ciss) (મહત્તમ) @ vds:	3950pF @ 800V
શક્તિ - મહત્તમ:	20mW
ઓપરેટિંગ તાપમાન:	-40°C ~ 150°C (TJ)
માઉન્ટિંગ પ્રકાર:	Chassis Mount
પેકેજ / કેસ:	Module
સપ્લાયર ઉપકરણ પેકેજ:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.